La serie NR252012 è un induttore di potenza SMD miniaturizzato a profilo ultra-basso-della linea NR con schermatura in resina magnetica-. È progettato per garantire la massima efficienza in termini di spazio, occupando un ingombro ridotto di 2,7 mm x 2,35 mm con un'altezza massima ultra-sottile di 1,2 mm.
Questa serie è progettata specificamente per eliminare il rumore "ronzio" nei dispositivi mobili, utilizzando una struttura schermata in resina magnetica-per un rumore acustico ultra-basso. Il design a circuito magnetico chiuso riduce anche le interferenze elettromagnetiche. Offrendo una corrente di saturazione (Isat) fino a 3,28 A, è la soluzione ideale con induttore a basso profilo per applicazioni portatili ad alta-densità e sensibili al rumore-. L'NR252012 è altamente competitivo in termini di prezzo dell'induttore smd per applicazioni di volume.
Caratteristiche principali
Impronta in miniatura:2,7 mm×2,35 mm.
Profilo ultra-basso:Altezza massima 1,2 mm.
Rumore ultra-basso:Struttura schermata-in resina magnetica.
EMI bassa:Il design a circuito magnetico chiuso riduce il flusso di dispersione.
Alta affidabilità:Metallizzazione su nucleo in ferrite per un'eccellente resistenza agli urti.
Risparmio energetico:Occupa meno spazio sul PCB e risparmia più energia.
Conforme alla direttiva RoHS.
Applicazioni
Il design miniaturizzato e a basso-rumore dell'NR252012 lo rende un induttore di potenza SMD perfetto per:
Dispositivi mobili di prossima-generazione con funzionalità multifunzione (ad es. TV mobile)
1
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Dispositivi di gioco portatili
2
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Dispositivi multimediali personali
3
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Sistemi di navigazione personale
4
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Convertitori CC-CC-ad alta densità
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Caratteristiche Elettriche
|
Parte n. |
Induttanza (L) (μH) |
Condizione di prova |
DCR (mΩ) (±30%) |
SRF (MHz) Min. |
Corrente di saturazione (Isat) (A) |
Corrente nominale di riscaldamento (Idc) (A) |
|
NR252012-R68N |
0.68 ± 30% |
1 MHz, 0,25 V |
57 |
140 |
3.28 |
1.95 |
|
NR252012-1R0N |
1.0 ± 30% |
1 MHz, 0,25 V |
70 |
110 |
2.59 |
1.93 |
|
NR252012-1R5M |
1.5 ± 20% |
1 MHz, 0,25 V |
113 |
97 |
2.24 |
1.40 |
|
NR252012-2R2M |
2.2 ± 20% |
1 MHz, 0,25 V |
167 |
69 |
1.85 |
1.15 |
|
NR252012-3R3M |
3.3 ± 20% |
1 MHz, 0,25 V |
203 |
62 |
1.61 |
1.04 |
|
NR252012-4R7M |
4.7 ± 20% |
1 MHz, 0,25 V |
291 |
69 |
1.12 |
0.84 |
|
NR252012-5R6M |
5.6 ± 20% |
1 MHz, 0,25 V |
414 |
38 |
1.11 |
0.73 |
|
NR252012-6R8M |
6.8 ± 20% |
1 MHz, 0,25 V |
447 |
38 |
0.98 |
0.69 |
|
NR252012-8R2M |
8.2 ± 20% |
1 MHz, 0,25 V |
507 |
36 |
0.98 |
0.65 |
|
NR252012-100M |
10 ± 20% |
1 MHz, 0,25 V |
531 |
34 |
0.79 |
0.62 |
|
NR252012-150M |
15 ± 20% |
1 MHz, 0,25 V |
1224 |
25 |
0.68 |
0.42 |
|
NR252012-220M |
22 ± 20% |
1 MHz, 0,25 V |
1520 |
20 |
0.53 |
0.38 |
Note:
Condizioni di prova:Tutti i dati dei test si riferiscono a una temperatura ambiente di 25 gradi.
Intervallo di temperatura operativa:Da -40 gradi a +125 gradi (ambiente più aumento della temperatura propria).
Isat (Corrente di Saturazione):Corrente CC (A) che farà diminuire L₀ di circa il 30%.
Idc (corrente di riscaldamento):Corrente CC (A) che causerà un ΔT approssimativo di 40 gradi.
Limite di temperatura:La temperatura della parte (ambiente + aumento della temperatura) non deve superare i 125 gradi nelle peggiori-condizioni operative.
Forma e dimensioni
Confezione
Confezione:Nastro portante in rilievo
Diametro della bobina: 180 mm
Larghezza del nastro:8 mm
Quantità/bobina:2000 pezzi
Profilo di rifusione della saldatura
Condizione di preriscaldamento:150~200 gradi/60~120 secondi.
Tempo consentito superiore a 217 gradi:60~90 secondi.
Temperatura massima:260 gradi
Tempo massimo alla temperatura massima:10 secondi
Tempo di ridisposizione consentito:2 volte al massimo
Pasta saldante: Sn/3,0Ag/0,5Cu
(Nota: questo profilo è solo a scopo di qualificazione. I profili effettivi devono essere basati sulla progettazione e sul processo specifici della scheda del cliente.)
Etichetta sexy: induttori nr 252012, produttori, fornitori, fabbrica di induttori Cina nr 252012
